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TBM-IC-MARK V表面污染儀

產(chǎn)品時(shí)間:2024-07-06

簡要描述:

美國TA TBM-IC-MARK V表面污染儀有2.5"(6.35cm)直徑×3.5"(8.9cm)長的空氣電離室與穩(wěn)態(tài)場(chǎng)效應(yīng)管電路以及A/D轉(zhuǎn)換讀出器相互配套,直接以mR/h 或 mR形式顯示,劑量率范圍:0.1 mR/h 到 9.999 R/h,劑量范圍:0.01mR - 99.9R與空氣等效的精確180 mg/cm石墨丙希酸脂電離室壁,超?。?.5 mg/cm )聚脂薄膜窗口對(duì)底能量的β離子

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     美國TA TBM-IC-MARK V表面污染儀

 

產(chǎn)品特點(diǎn)

 

數(shù)字讀出器:8位計(jì)數(shù),8位積分
劑量率和累加劑量
輕便26盎司(730g)
TBM包裝
平坦的空氣等效響應(yīng)
軸向探測(cè)到5 KEV的γ 或 X-射線
可檢測(cè)α,β,γ,X-射線
快速響應(yīng)

寬量程:0.1 mR/hr 到 9.999 R/hr

有2.5”(6.35cm)直徑×3.5”(8.9cm)長的空氣電離室與穩(wěn)態(tài)場(chǎng)效應(yīng)管電路以及A/D轉(zhuǎn)換讀出器相互配套,直接以mR/h 或 mR形式顯示,劑量率范圍:0.1 mR/h 到 9.999 R/h,劑量范圍:0.01mR - 99.9R與空氣等效的精確180 mg/cm石墨丙希酸脂電離室壁,超薄(0.5 mg/cm )聚脂薄膜窗口對(duì)底能量的β離子,比如C14,另外對(duì)高能量的β,γ和X-射線響應(yīng)。

 

美國TA TBM-IC-MARK V表面污染儀技術(shù)參數(shù)

探測(cè)器:空氣等價(jià)電離室2.5” 直徑 x 3.5” 長內(nèi)部體積260cc
探測(cè)窗:2.0” 直徑. x 0.5 mg/cm 聚酯薄膜.
讀出器:8位LCD顯示。
指示燈:綠色 LED 10 pulses/sec 每 mR/h
紅色超量程指示
 

電路:穩(wěn)定的固態(tài)MOSFET 輸入

 

應(yīng)用范圍

具有快速響應(yīng)的,高精度電離室的巡檢儀,是符合現(xiàn)今表面污染的需求趨勢(shì)的新產(chǎn)品。TBM-IC-MARK V帶電離室巡檢儀是一款體積小,輕便,基于更高穩(wěn)定,漂移電路技術(shù)的高品質(zhì)巡檢儀。

 

 

 

 

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